偏（piān）壓（Bias)是指在鍍膜（mó）過程中施加在（zài）基體上的負電壓。偏壓電源的正極接到真空室上，同時（shí）真空室（shì）接地，偏壓（yā）的負極接到（dào）工件上。由於大地的電壓一般（bān）認為是零電位，所（suǒ）以工件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除（chú）基片上（shàng）吸附的氣（qì）體和油汙（wū）等，有（yǒu）利於提高膜層結合（hé）強度；
活化基體表麵；
對（duì）電弧離子鍍（Arc Ion Plating)中（zhōng）的大顆粒（lì）有（yǒu）淨化作用；

偏壓的（de）分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓
直流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏壓

直流（liú）偏壓和脈衝偏壓的比較

傳統的電弧離子鍍是在基片（piàn）台上施加直流負偏壓控製離子轟（hōng）擊能量, 這種沉積工藝存（cún）在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於（yú）在回火溫度低的（de）基（jī）體上沉積硬（yìng）質膜。
        高能離子轟擊（jī）造（zào）成嚴重的濺射, 不能簡單通過提高離子（zǐ）轟擊能量合成高反應閾（yù）能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離（lí）子鍍工藝中,為了抑製因離子對基體表麵連續轟擊而導致的基（jī）體溫度（dù）過高,主（zhǔ）要采取減少沉積功率、縮短沉積（jī）時間、采用間歇沉積（jī）方式等措施來降低沉積溫度，這些措施可（kě）以概括地稱為能（néng）量控製（zhì）法'這種方法雖（suī）然可（kě）以降低沉積溫度,但也使薄膜的某（mǒu）些性能下降,同（tóng）時還降低了生產效率和薄膜（mó）質量的穩定性，因（yīn）此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離子（zǐ）鍍工藝中,由於離子是以非連續的脈衝方式轟擊基體表麵,所（suǒ）以通過調節脈衝偏壓的占空比,可改變基體內部與表（biǎo）麵之間的溫度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的（de）均（jun1）衡補償效果,達（dá）到調控沉積溫度的目（mù）的。這樣就可以把施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開(互不影響或影響（xiǎng）很小)調節,利用高壓脈衝來獲得高能離子的轟擊效應以改善薄膜的組（zǔ）織和性能（néng）,通過降低占空比來（lái）減小離（lí）子轟擊的總加熱效應以降低沉積溫（wēn）度。

偏壓對膜層的影（yǐng）響（xiǎng）

偏壓對膜層的影響機製是很複雜的（de），下麵列出了一（yī）些主要影響，可以根據自己的使（shǐ）用（yòng）工藝，觀察總結（jié），就可以很快摸清偏壓對（duì）膜層（céng）的影響規律。
        膜層結構、結晶（jīng）構造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨化
        膜層硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應力

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