物（wù）理氣相沉積介紹之真（zhēn）空卷繞鍍膜技術：
        真空卷繞（rào）鍍膜(卷對卷（juàn）)是在（zài）真空下應用不（bú）同方法在柔性基（jī）體上實（shí）現連續鍍膜的一種技術（shù）。它涵蓋真空獲得、機電控製、高精傳動和表麵分析等多方麵內容。其重點是，在（zài）保證鍍膜質量前提下提（tí）高卷繞速率、控製鍍膜穩定（dìng）性及實（shí）施在線監控。卷（juàn）對卷技術成本低、易操（cāo）作、與柔性基（jī）底（dǐ）相容、生產率（lǜ）高及可連（lián）續鍍（dù）多層膜等優點。第一台真空蒸發卷繞鍍膜機（jī）1935年製成，現可鍍幅寬由500至（zhì）2500mm。卷對卷（juàn）技術應用由包裝和裝飾用膜，近（jìn）年逐漸擴大（dà）至激光防偽膜、導電等（děng）功能薄（báo）膜方麵，是未來柔性電子等行業的主流技術之一。
        真空卷繞鍍膜（mó）係統按結構可分為單室（shì）、雙室和多室真空卷繞係統，後兩者可解決開卷放氣問題並分別控製卷繞和鍍膜室各自真空度。卷繞張力控製分錐度、間接和直接控製模（mó）型，錐度控製模型（xíng）可解決薄膜褶皺和徑向力分布不均的問題；間接張（zhāng）力（lì）控製無需傳感器，可用內置張力（lì）控製（zhì）模塊的矢量變頻器代替；直接張力控製（zhì）通過張力傳感器精確測量張力值，但需慣性矩和角速度（dù）等多種參數。真空卷繞鍍膜主要有真空蒸發、磁控濺射等方式，可（kě）用於製備新型高折射率薄膜、石墨烯等納米材（cái）料和柔性（xìng）太陽能電池等半導（dǎo）體器件。針對真空卷繞鍍膜技術研究現狀及向產業化過渡存在的問題，最後作了簡要分析與展望。
        真空卷對卷設備由抽真空、卷繞、鍍膜和電（diàn）氣控製等係統組成。真空卷繞鍍膜設備根據真空室有無擋板，可（kě）分單室、雙室和多（duō）室結構。單室的收放卷（juàn）輥（gǔn）和鍍膜輥在同一室中，結構簡單但開卷時放氣會汙染真空環境。雙室結構將係統（tǒng）用擋板隔成卷繞和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免（miǎn）了類似開（kāi）卷放氣問題。多（duō）室常用於（yú）製備複合薄膜，在雙室基礎上將相鄰鍍膜區用擋板隔開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋板固定於兩磁控濺射靶間，板兩側塗覆50μm的銅層。分隔（gé）擋板與真空（kōng）室壁狹（xiá）縫越小越好。據（jù）鍍膜時輥筒作用分為（wéi）單主輥和多主輥卷繞鍍膜（mó）機。據電機個數，則可分為兩電機、三電機和四電機驅動係統。

下一個：真空鍍膜機所以在後掩蔽和清洗輥速度不太快