電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰（pèng）撞,電離出大量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子在電場的作用下（xià）加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積（jī）在基片上成膜.二次電子在加速飛向基片的過程中（zhōng）受到磁（cí）場洛侖磁力的影響,被束（shù）縛在*近靶麵的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場（chǎng）的作用下圍繞靶麵作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程（chéng）中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經過（guò）多次碰撞後電子的能量（liàng）逐漸降低,擺脫磁力（lì）線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上（shàng）.

        磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改（gǎi）變電子的運動方向,提高工作氣體的（de）電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿（xiǔ）不僅僅是基片,真空（kōng）室內壁及靶源陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽極（jí）在同一（yī）電勢.磁場與（yǔ）電場的交互作用（E X B shift）使（shǐ）單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至（zhì）於靶麵圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線（xiàn）呈圓周形狀形狀.磁力線分布方向不同會對成膜有很大關係.

       在E X B shift機理下工作的（de）不光（guāng）磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次（cì）原理下工作.所不同的是電場方（fāng）向,電（diàn）壓電流大小而已.